Параметрический стабилизатор схема принцип работы

параметрический стабилизатор схема принцип работы
Ток пробоя обычного планарного стабилитрона сосредоточен в приповерхностном слое кремния — в слое с максимальной концентрацией дефектов кристаллической решётки и посторонних примесей. Схемы применения.58. Преобразователи (выпрямители, инверторы, конверторы, импульсные). Назначение, схемы, диаграммы.59. Однополупериодная и мостовая схемы выпрямления. Балластное сопротивление Rб служит для ограничения тока через стабилитрон, который должен находиться в допустимых пределах при максимальных отклонениях входного напряжения, напряжение на нём всегда равно разности между входным и выходным напряжениями. Кондеров вообще можно повтыкать несколько штук, не повредит. Говоря проще, берут несколько вышерассмотренных схем и включают одну за другой. Некоторые параметры интегральных стабилизаторов приведены в табл. 2.1, а вариант подключения к стабилизатору К142ЕН1 внешних элементов — на рис. 2.85. Резистор R предназначен для срабатывания защиты по току, а R1 — для регулирования выходного напряжения.


Подача на вход стабилизатора максимально возможного напряжения питания при отключении нагрузки от выхода стабилизатора. При этом в широком диапазоне изменения тока через диод напряжение изменяется на нем очень незначительно. У этого термина существуют и другие значения, см. Короче, если, к примеру, напряжение на входе скакнуло, эта фигня, естественно, передается на выход. Стандартная для SPICE модель транзистора Эберса—Молла режим пробоя не рассматривает[50]. Токи и напряжения стабилизации[править | править вики-текст] ГОСТ 25529—82 «Диоды полупроводниковые. Повышение степени их специализации достигается путем увеличения числа связей между функциональными узлами внутри микросхемы; при этом уменьшается количество внешних выводов.

Схема, принцип действия, параметрические ограничения применения схемы.74. Усилители мощности. — осуществлял рецензирование контрольных работ студентов-заочников по дисциплине «Устройства оптической обработки сигналов»;. 8. Формула габаритной мощности трансформатора. 9. Коэффициент полезного действия и нагрузочная характеристика трансформатора. 10. Многообмоточные трансформаторы, автотрансформаторы. Вторая фотолитография вскрывает окна для нанесения первого, тонкого слоя анодной металлизации. 50. Моделирование устройств электропитания на ПЭВМ. Этапы проектирования ЭПУ. Сущность системного подхода при разработке средств ЭП. 51. Моделирование устройств электропитания на ПЭВМ. Математические модели устройств ЭП. При больших токах нагрузки ставят составные и так называемые тройные составные транзисторы.Такая схема обладает защитой от короткого замыкания (КЗ). При КЗ обесточивается стабилитрон VD1 и транзисторы VT1, VT2 закрываются.

Похожие записи: